Archive
왕초보 반도체 뽀개기
반도체의 기초부터 최신 기술까지 초등학생도 이해할 수 있게 쉽게 풀어 설명합니다.
-
왕초보 반도체 뽀개기
-
1. 반도체(semiconductor)
-
2. 트랜지스터(Transistor)
-
3. 공정(전공정/후공정)
-
4. 노광 (Lithography)
-
5. 파운드리 / 팹리스 / IDM
-
6. 웨이퍼(Wafer)
-
7. 다이(Die)
-
8. 패키징(Packaging)
-
9. CPU / GPU / NPU
-
10. D램(DRAM) / 낸드(NAND) / SSD
-
11. HBM (High Bandwidth Memory)
-
12. 공정 노드 (5nm / 3nm / 18A 등)
-
13. AI 반도체 구조 — 인터포저(Interposer)
-
14. HBM + 인터포저 + GPU의 전체 구조
-
15. 트랜지스터 구조 — FinFET vs GAAFET
-
16. 반도체 공정 장비 — 포토(노광), 식각, 증착
-
17. 클린룸(Clean Room)
-
18. 반도체 가격 구조 — 수율(Yield)
-
19. SoC(System on Chip)
-
20. 버스(Bus)와 대역폭(Bandwidth)
-
21. 메모리 계층 구조 (Memory Hierarchy)
-
22. 클럭(Clock)과 주파수(Frequency)
-
23. 열(Heat) & TDP — 반도체는 왜 뜨거워지는가?
-
24. 트랜지스터의 동작 원리 — 스위치가 어떻게 켜지고 꺼지는가?
-
25. SRAM vs DRAM — 왜 CPU와 GPU 안에는 SRAM이 있고, 밖에는 DRAM이 있을까?
-
26. 캐시 메모리(Cache) — 왜 CPU 근처에 꼭 있어야 할까?
-
27. 미세공정의 한계 — 왜 1nm 아래로 가기 어려울까?
-
28. 반도체 패키징 — 2.5D vs 3D 패키징
-
29. 3D 칩렛(Chiplet) 구조 — 왜 여러 칩을 나눠 만들까?
-
30. 전력 소비의 진짜 원인 — 정적 전력(Leakage) vs 동적 전력(Switching Power)
-
31. CPU vs GPU — 내부 구조가 왜 다를까?
-
32. HBM(High Bandwidth Memory) — AI 시대의 핵심 메모리
-
33. HBM 심화 1: TSV(Through-Silicon Via)
-
34. HBM 심화 2: 왜 HBM은 만들기 어렵고(수율↓), 그래서 공급이 부족해질까?
-
35. HBM 심화 3: HBM3e vs HBM4 — 뭐가 더 업그레이드 된 걸까?
-
36. HBM 심화 4: 왜 HBM만 늘린다고 끝이 아닐까? (CoWoS 병목)
-
37. 인터커넥트(Interconnect) — 칩 안의 ‘전기 길(배선)
-
38. 지연(Delay)과 RC 지연(RC Delay)
-
39. 백사이드 전력공급(Backside Power Delivery, PowerVia)
-
40. 나노시트(Nanosheet)
-
41. 변동성(Variation) — 왜 똑같이 만들었는데 결과가 다를까?
-
42. DTCO(Design-Technology Co-Optimization)
-
43. PDK(Process Design Kit)
-
44. 빈닝(Binning)
-
45. 테스트(Test) — 왜 반도체는 검사가 그렇게 중요할까?
-
46. 프로빙(Probing) / 웨이퍼 테스트(Wafer Test)
-
47. 다이싱(Dicing) — 웨이퍼를 칩으로 자르는 단계
-
48. 다이 어태치(Die Attach)
-
49. 와이어 본딩(Wire Bonding)
-
50. 플립칩(Flip-Chip)